রম: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য

বিষয়বস্তু বিয়োগ হয়েছে বিষয়বস্তু যোগ হয়েছে
লিকং সংযোগ, অনুবাদ
১ নং লাইন:
[[File:ROM .jpg|thumb|ROM - Read Only Memory]]
 
'''রম''' বা '''রীড-অনলি মেমোরি''' ([[ইংরেজি ভাষা|ইংরেজি ভাষায়]]: Read-only memory (ROM)) হল এক ধরনের সংরক্ষনসংরক্ষণ মাধ্যম যা [[কম্পিউটা|কম্পিউটার]] এবং অন্যান্য [[ইলেক্ট্রনিক]] যন্ত্রে ব্যবহার করা হয়। রমে যে তথ্য থাকে তা পরিবর্তন করা যায় না বা করা গেলেও তা খুব ধীরে অথবা করা কঠিন। তাই এটি ব্যবহার করা হয় প্রধানত র্ফামওয়্যারে।[[ফার্মওয়্যার|র্ফামওয়্যারে]]।
 
অন্যান্য আরো যেসব [[নন-ভোলাটাইল মেমোরি|নন-ভোলাটাইল]] বা বিদ্যুত চলে গেলেও যার তথ্য থেকে যায় এমন মেমোরি হল ইপিরমইপিআরওএম, ইইপিরমইইপিআরওএম বা [[ফ্লাশ রম।মেমোরি]]। এগুলোকে কোন কোন সময় রম বলা হয় কিন্তু এটি ঠিক নয় বা ভুল ধারনা কারনকারণ ইপিরমইপিআরওএম বা ইইপিরমগুলোকেইইপিআরওএমমগুলোকে মুছা যায় এবং আবার প্রোগ্রাম করা যায়<ref>[http://www.pcmag.com/encyclopedia_term/0,,t=&i=43279,00.asp Definition of: flash ROM, PC Magazine.]</ref>.
 
==ইতিহাস==
সাধারন ধরনের [[সলিড স্টেট (ইলেকট্রনিক্স)|সলিড স্টেটের]] রম [[ট্রানজিস্টর|সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির]] মতই পুরনো। আরবিট্রেরি তথ্য বা ভেল্যুর এম-বিটের তথ্য আউটপুট হিসেবে [[কম্বিনেশনাল লজিক|কম্বিনেশনাল]] [[লজিক গেট]] ব্যবহার করে এন-বিট ঠিকানা ইচ্ছানুযায়ী ইনপুট দেয়া যায়। [[সমন্বিত বর্তনী|ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট]] আবিষ্কারের পর [[মাস্ক রম|মাস্ক রমের]] উদ্ভব হয়। মাস্ক রম হল আসলে কিছু [[ওয়ার্ড (কম্পিউটার আর্কিটেকচার)|শব্দের]] লাইন (যাতে ঠিকানার ইনপুট থাকে) এবং বিট লাইনের (যাতে আউটপুট তথ্য থাকে) সমষ্টি। এগুলো বাছাইকরা কিছু ট্রানজিষ্টর সুইচের সাথে যোগ করা থাকে এবং আরবিট্রেরি [[লুকআপ টেবিল|লুক-আপ টেবিল]] (সাধারন লেআউট) এবং পূর্বানুমান করা যায় এমন [[প্রোপগেশন ডিলে|প্রোপগেশন ডিলেকে]] প্রকাশ করে থাকে।
 
সাধারন ধরনের সলিড স্টেটের রম সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির মতই পুরনো। আরবিট্রেরি তথ্য বা ভেল্যুর এম-বিটের তথ্য আউটপুট হিসেবে কম্বিনেশনাল লজিক গেট ব্যবহার করে এন-বিট ঠিকানা ইচ্ছানুযায়ী ইনপুট দেয়া যায়। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট আবিষ্কারের পর মাস্ক রমের উদ্ভব হয়। মাস্ক রম হল আসলে কিছু শব্দের লাইন (যাতে ঠিকানার ইনপুট থাকে) এবং বিট লাইনের (যাতে আউটপুট তথ্য থাকে) সমষ্টি। এগুলো বাছাইকরা কিছু ট্রানজিষ্টর সুইচের সাথে যোগ করা থাকে এবং আরবিট্রেরি লুক-আপ টেবিল (সাধারন লেআউট) এবং পূর্বানুমান করা যায় এমন প্রোপগেশন ডিলেকে প্রকাশ করে থাকে।
 
মাস্ক লেআউটে সার্কিট তথ্য এনকোড করা হয় আগে পরে তৈরীর সময় প্রোগ্রামিং করা হয়। এর ফলে কিছু অসুবিধা দেখা দেয় যেমন:
- :১. শুধুমাত্র বেশী পরিমানে কিনলেই দামে সস্তা হয়, এবং ব্যবহারকারীদেরকে সরাসরি উৎপাদকদের সাথে যোগাযোগ করতে হয় তাদের ইচ্ছানুযায়ী রমের জন্য
- :২. উৎপাদন সময় বেশি লাগে যেহেতু দুই পর্যায়ে এটা করা হয় এবং উভয় পর্যায়ই ধীর।
- :৩. এটি গবেষনা[[গবেষণা এবং উন্নয়ন|গবেষণা এবং উন্নয়নের]] জন্য অনুপযোগী কারন এতে দ্রুতই নকশা পরিবর্তন করা লাগে।
- :৪. কোন পন্য যদি ঠিকভাবে প্রস্তুত না হয় বা বিক্রির পর ভুল ধরা পড়ে, পন্যটি সরাসরি উৎপাদকদের কাছ থেকে পরির্বতন করার প্রয়োজন হয়।
 
পরবর্তী উন্নয়নগুলোতে এই সব সমস্যা ঠিক করার ব্যবস্থা নেয়া হয়। ১৯৫৬ সালে আবিষ্কৃত, পিরম[[প্রোগ্রামেবল রীড-অনলি মেমোরি|পিআরওএম]], ব্যবহারকারীদের বিষয়বস্তু প্রোগ্রাম করার সুযোগ দিত একবার উচ্চ বৈদ্যুতিক ভোল্টেজ পালস ব্যবহার করে। এটি ১ ও দুই নম্বর সমস্যার সমাধান দেয় যেহেতু একটি কোম্পানী পিরম অর্ডার করতে পারে সহজেই এবং পরে সেগুলোতে নিজেদের বিষয়বস্তু অনুযায়ী প্রোগ্রাম করতে পারে। ১৯৭১ সালে আবিষ্কৃত ইপিরম[[ইপিআরওএম]] ৩ নম্বর সমস্যাটির সমাধান দেয়। ইপিরমকে আবার আগের প্রোগ্রামহীন বা শূন্য অবস্থায় আনা যেত উচ্চ মাত্রার আল্ট্রাভাইয়োলেট লাইট ব্যবহার করে। ১৯৮৩ সালে আবিষ্কৃত হয় ইইপিরম[[ইইপিআরওএম]], এটি ৪ নম্বর সমস্যার সমাধান করে কারন ইইপিরম যেকোন জায়গায় বাহ্যিক কোন প্রোগ্রামিং বিষয়বস্তু [[সিরিয়াল কেবল]] ব্যবহার করে প্রোগ্রাম করা যায়। ফ্ল্যাশ মেমোরি [[তোশিবা]] আবিষ্কার করে ১৯৮০ দশকের মাঝামাঝি এবং বাজারে ছাড়ে ১৯৯০ দশকের শুরুর দিকে। এটি একধরনের ইইপিরম যেটি চিপের জায়গার দক্ষ ব্যবহার নিশ্চিত করে এবং মুছে আবার প্রোগ্রাম করা যায় হাজারবার চিপের কোন ক্ষতি না করেই।
 
এইসব প্রযুক্তি যদিও রমের কার্যক্ষমতা বাড়িয়েছে তবুও সস্তা দরের চিপ হিসেবে মাস্ক রম তখনও বড়ধরনের পছন্দ ছিল ক্রেতাদের নিকট (পুনরায় প্রোগ্রাম করা যায় এমন যন্ত্রগুলোর দাম কমে আসে ২০০০ সালের দিকে এবং মাস্ক রমের বাজার দখল করে নেয়)। আরো বলতে গেলে, নতুন প্রযুক্তির রমগুলো শুধুমাত্র রিড-অনলি না হওয়াও একটি কারণ।
 
সাম্প্রতিক উন্নয়ন করা ন্যান্ড[[এনএএনডি ফ্ল্যাশ বা |এনএএনডি ফ্ল্যাশের]] (তোশিবার তৈরী) নকশাকারীগন দাবী করেন তারা আগের সবধরনের নিয়ম তুলে ফেলেছেন তারা আরো বলেছেন “এটি হার্ডডিস্কের[[হার্ড ডিস্ক|হার্ড ডিস্কের]] বিকল্প”<ref>See page 6 of Toshiba's 1993 ''[http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf NAND Flash Applications Design Guide]''.</ref> আগে যেটি নন-ভোলাটাইল [[কম্পিউটার ডাটা স্টোরজ|প্রাথমিক মেমোরি]] ছিল। ২০০৭ সাল অনুযায়ী, ন্যান্ডএনএএনডি এই দাবির কিছু অর্জন করে যেটিতে উচ্চ মাত্রার সহন শক্তি, আকারে ছোট, কম বিদ্যুত ব্যবহার ইত্যাদি বৈশিষ্ট্য ছিল।
 
===প্রোগ্রাম সংরক্ষনের জন্য ব্যবহার===
২৪ নং লাইন:
 
===তথ্য সংরক্ষনের জন্য ব্যবহার===
যেহেতু রমের তথ্য সহজে পরিবর্তন করা যায় না, তাই সেইসব তথ্যই এতে লিখা হয় যা সহজে পরিবর্তন করার দরকার হয় না। এই কারণে রমকে বিভিন্ন কম্পিউটারে লুক-আপ টেবিল (গাণিতিক এবং যুক্তিমূলক কাজসমূহের কাজে ব্যবহৃত) সংরক্ষন করার কাজে ব্যবহার করা হয়। এটি খুবই কার্যকরী হয় যখন [[সেন্টাল প্রসেসিং ইউনিট|সিপিইউর]] গতি কম এবং র‍্যামের দাম বেশি হয় রমের তুলনায়।
 
উল্লেখ্য, ব্যক্তিগত কম্পিউটারের পুরনো [[ডিসপ্লে এডাপ্টার|ডিসপ্লে এডাপ্টারগুলো]] বিটম্যাপ ফন্টের তথ্য রমে সংরক্ষন করত। এটা দ্বারা বুঝা যায় যে, ডিসপ্লের ফন্টগুলো সহজে পরিবর্তন করা যেত না। [[আইবিএম]] ব্যক্তিগত কম্পিউটার এক্সটির [[কালার গ্রাফিক্স এডাপ্টার|সিজিএ]] এবং [[আইবিএম মোনোক্রম ডিসপ্লে এডাপ্টার|এমডিএ]] এডাপ্টারগুলোর ক্ষেত্রেও এটা একই।
 
আধুনিক যুগের কম্পিউটারগুলোতে রমে তথ্য সংরক্ষনের বিষয়টি আর করা হয় না। যাই হোক, ফ্ল্যাশ রমগুলো এখন তথ্য সংরক্ষন মাধ্যম অথবা দ্বিতীয় সংরক্ষন মাধ্যম হিসেবে ভূমিকা পালন করে।
৩২ নং লাইন:
==প্রকারভেদ==
===সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি===
'''মাস্ক প্রোগ্রামড রম''' হল ইন্ট্রিগ্রেটেড সার্কিট যেটা নিজে কোন তথ্য এনকোড করে সংরক্ষন করে এবং এগুলো উৎপাদনের পরে পরিবর্তন করা অসম্ভব। অন্যান্য ধরনের [[নন-ভোলাটাইল মেমোরি|নন-ভোলাটাইল]] সলিড-স্টেট মেমোরি কিছু কিছু ক্ষেত্রে পরিবর্তনের সুযোগ দেয়।
 
* '''[[প্রোগ্রামেবল রমরীড-অনলি মেমোরি]]''' (পিরমপিআরওএম) অথবা '''ওয়ান-টাইম প্রোগ্রামেবল রম''' (ওটিপি) যা একবারই প্রোগ্রাম করা যায় এমন রমে প্রোগ্রামিং করা হয় বিশেষ যন্ত্র দিয়ে যাকে '''পিরম প্রোগ্রামার''' বলে। চিপের মধ্যকার আন্তঃসংযুক্ত লিংক বা সংযোগে উচ্চ মাত্রার ভোল্টেজ সরবরাহ করে স্থায়ীভাবে কোন কিছু তৈরী বা মুছে ফেলা হয়। ফলে এটাতে একবারই প্রোগ্রাম করা যায়।
 
* '''[[ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রমরীড-অনলি মেমোরি]]''' (ইপিরমইপিআরওএম) শক্তিশালী আল্ট্রাভাইয়োলেট[[অতিবেগুনী রশ্মি|অতিবেগুনী রশ্মির]] আলোতে উন্মুক্ত করে (সাধারণত ১০ মিনিট বা তারও বেশি) মুছা হয় এবং আবার প্রোগ্রাম লিখা হয়। পরেরবার মুছার সময় প্রথমবার যে শক্তি প্রয়োগ করে মুছা হয়েছিল তারচেয়ে বেশি শক্তি বা বেশি সময় ধরে রাখতে হয়। বারবার আল্ট্রাভাইয়োলেটঅতিবেগুনী আলোতেরশ্মিরআলোতে উন্মুক্ত করার ফলে রম ক্ষতিগ্রস্থ হয় বা ব্যবহার অনুপযোগী হয়ে পড়ে। কিন্তু দীর্ঘস্থায়ী রমগুলো ১০০০ বা তার উপরে মুছা যায় এবং প্রোগ্রাম করা যায়। ইপিরমইপিআরওএম চেনা যায় রমের মধ্যে একটি '''"জানালা'''" আকারের খালি জায়গা থাকে যেটা দিয়ে আল্ট্রাভাইয়োলেটঅতিবেগুনী রশ্মির আলো প্রবেশ করে। প্রোগ্রামিং করার পরে এটি লেভেল দিয়ে ঢাকা থাকে যাতে অনাক্খিতঅনাকাঙ্খিত কোন কিছু না ঘটে এবং পুনব্যবহারের জন্য।
 
* '''[[ইলেক্ট্রিক্যালি ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রমরীড-অনলি মেমোরি]]''' (ইইপিরমইইপিআরওএম) ইপিরমেরইপিআরওএম এর মতই এর সেমিকন্ডাক্টরের গঠন কিন্তু এটিতে নিদির্ষ্ট বা পুরো অংশই বৈদ্যুতিক শক্তি প্রয়োগ করে মুছা যায় এবং প্রোগ্রাম করা যায়। এতে করে এগুলোকে খুলতে (কম্পিউটার, এমপিথ্রী প্লেয়ার, ক্যামেরা প্রভৃতি) হয় না। ইইপিরমে লিখা বা ফ্ল্যাশ করা খুবই ধীর গতির র‍্যামের চেয়ে।
 
** '''[[ইলেক্ট্রিক্যালি অলটারেবল রমরীড-অনলি মেমোরি]]''' (ইএরমইএআরওএম) হল একধরনের ইইপিরমইইপিআরওএম যা একবার এক বিট করে পরিবর্তন করা যায়। লিখা খুবই সময়সাপেক্ষ এবং হাই ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় (প্রায় ১২ ভোল্টের মত)। এই রম সেইসব যন্ত্রগুলোতে ব্যবহার করা হয় যেগুলো পুনপুন লিখার প্রয়োজন হয় না বা কম প্রয়োজন হয়।
 
** '''[[ফ্ল্যাশ মেমোরি]]''' হল আধুনিক ইইপিরমইইপিআরওএম (১৯৮৪ সালে আবিষ্কৃত)। এটি ইইপিরমেরইইপিআরওএম এর তুলনায় দ্রুত মুছা যায় এবং লিখা যায় সেইসাথেসেই দীর্ঘস্থায়ীসাথে দীর্ঘস্থায়ীও (১০,০০,০০০র০০০ চক্রের বেশি)। আবার আধুনিক ন্যান্ডএনএএনডি ফ্ল্যাশের (২০০৭ সালে ঘোষিত) একটি আইসির ধারণক্ষমতা ৩২ জিবির মত যেটি চিপের কার্যক্ষম ব্যবহার নিশ্চিত করে। কিছু কিছু পন্যে ন্যান্ড ফ্ল্যাশ চৌম্বকের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয় যেমন [[ইউএসবি ফ্ল্যাশ ড্রাইভ।ড্রাইভ]]। যখন পুরনো রমের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয় তখন একে ইইপরম বা '''ফ্ল্যাশ রমইইপিআরওএম''' বা '''ফ্ল্যাশ রম''' বলা হয় কিন্তু যেসব ক্ষেত্রে পুনপুন পরিবর্তন করা হয় এবং দ্রুত হয় সেসব ক্ষেত্রে ফ্ল্যাশ মেমোরি বলা হয়।
রাইট প্রোটেকশন বা লিখন নিরপত্তার কারনে কিছু কিছু পুনপ্রোগ্রাম করা যায় এমন রম অস্থায়ীভাবে রমে পরিনত হয়।
 
রাইট প্রোটেকশন বা [[লিখন নিরপত্তা|লিখন নিরপত্তার]] কারনে কিছু কিছু পুনপ্রোগ্রাম করা যায় এমন রম অস্থায়ীভাবে রমে পরিনত হয়।
===অন্যান্য প্রযুক্তির===
 
===অন্যান্য প্রযুক্তির===
আরো অন্যান্য ধরনের নন-ভোলাটাইল মেমোরি আছে যেগুলো সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির নয়, যেমন-
 
৫৪ নং লাইন:
 
* ডাইয়োড ম্যাট্রিক্স
 
* রেজিস্টর, ক্যাপাসিটর অথবা ট্রান্সফরমার ম্যাট্রিক্স রম
 
* কোর রপ
 
* ক্যারেক্ট্রন ক্যাথোড রে টিউবস
 
৬৯ ⟶ ৬৬ নং লাইন:
 
==স্থায়ীত্ব এবং তথ্য ধারণ ক্ষমতা==
যেহেতু এগুলোতে লিখা হয় [[ইলেক্ট্রিক্যাল ইনসুলেশন]] স্তরের মাধ্যমে ইলেক্ট্রনগুলোকে[[ইলেক্ট্রন]]গুলোকে বলপ্রয়োগবল প্রয়োগ করে। সেইকারনে রিরাইটেবল বা পুনরায় লিখন উপযোগী রমগুলোরআরওএম গুলোর ইনসুলেশন স্তর ক্ষতিগ্রস্থ হওয়া পযর্ন্ত লিখা যায়। পুরনো ইএরমগুলোতেইএআরওএম গুলোতে এটা হত ১০০০ বার লিখার পর যেখানে আধুনিক ইইপিরমেরইইপিআরওএম এর বেলায় তা ১,০০০,০০০ বার কিন্তু এটা অসীম নয়।
 
রমের পড়ার বিষয়টি লিখার সাথে সর্ম্পকিত নয়। ইপিরমইপিআরওএম, ইএরমইএআরওএম, ইইপিরমইইপিআরওএম এবং ফ্ল্যাশ মেমোরিতে তথ্য সংরক্ষন সীমাবদ্ধ হতে পারে যদি [[ফ্লোটিং গেট]] (মেমোরির) ক্ষতিগ্রস্থ হয়। অত্যাধিক উচ্চতাপ এবং [[রেডিয়েশন|রেডিয়েশনের]] কারণে এটি ক্ষতিগ্রস্থ হতে পারে। মাস্ক রম এবং পিরমগুলোপিআরওএম গুলো এই সমস্যায় পড়ে না যেহেতু এগুলোর তথ্য সংরক্ষন হয় ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে।
যেহেতু এগুলোতে লিখা হয় ইলেক্ট্রিক্যাল ইনসুলেশন স্তরের মাধ্যমে ইলেক্ট্রনগুলোকে বলপ্রয়োগ করে। সেইকারনে রিরাইটেবল বা পুনরায় লিখন উপযোগী রমগুলোর ইনসুলেশন স্তর ক্ষতিগ্রস্থ হওয়া পযর্ন্ত লিখা যায়। পুরনো ইএরমগুলোতে এটা হত ১০০০ বার লিখার পর যেখানে আধুনিক ইইপিরমের বেলায় তা ১,০০০,০০০ বার কিন্তু এটা অসীম নয়।
 
রমের পড়ার বিষয়টি লিখার সাথে সর্ম্পকিত নয়। ইপিরম, ইএরম, ইইপিরম এবং ফ্ল্যাশ মেমোরিতে তথ্য সংরক্ষন সীমাবদ্ধ হতে পারে যদি ফ্লোটিং গেট (মেমোরির) ক্ষতিগ্রস্থ হয়। অত্যাধিক উচ্চতাপ এবং রেডিয়েশনের কারণে এটি ক্ষতিগ্রস্থ হতে পারে। মাস্ক রম এবং পিরমগুলো এই সমস্যায় পড়ে না যেহেতু এগুলোর তথ্য সংরক্ষন হয় ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে।
 
== আরো দেখুন ==
* [[ইইপিআরওএম]]
* [[ইইপিরম]]
* [[ইপিআরওএম]]
* [[ইপিরম]]
* [[ফ্ল্যাশ মেমোরি]]
* [[পিআরওএম]]
* [পিরম]]
* [[র‍্যান্ডমর‌্যান্ডম অ্যাকসেসঅ্যাক্সেস মেমোরি]]
 
== Terminologyপরিভাষা ==
*[[ইইপিআরওএম]]: ইলেক্ট্রিক্যালি ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রীড-অনলি মেমোরি
*[[EEPROM]]: electrically erasable programmable read-only memory
*[[ইপিআরওএম]]: ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রীড-অনলি মেমোরি
*[[EPROM]]: erasable programmable read-only memory
*[[প্রোগ্রামেবল রীড-অনলি মেমোরি|পিআরওএম]]: প্রোগ্রামেবল রীড-অনলি মেমোরি
*[[programmable read-only memory|PROM]]: programmable read-only memory
 
== তথ্যসূত্র==
<references/>{{Reflist}}
 
{{Spoken Wikipedia|Read-only memory.ogg|2005-04-12}}
 
'https://bn.wikipedia.org/wiki/রম' থেকে আনীত