রম: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য
বিষয়বস্তু বিয়োগ হয়েছে বিষয়বস্তু যোগ হয়েছে
Luckas-bot (আলোচনা | অবদান) অ r2.7.1) (রোবট যোগ করছে: en, fi, sh, sv, th, tr, uk, vi |
সম্পাদনা সারাংশ নেই |
||
২০ নং লাইন:
সাম্প্রতিক উন্নয়ন করা ন্যান্ড ফ্ল্যাশ বা এনএএনডি ফ্ল্যাশের (তোশিবার তৈরী) নকশাকারীগন দাবী করেন তারা আগের সবধরনের নিয়ম তুলে ফেলেছেন তারা আরো বলেছেন “এটি হার্ডডিস্কের বিকল্প”<ref>See page 6 of Toshiba's 1993 ''[http://www.data-io.com/pdf/NAND/Toshiba/NandDesignGuide.pdf.pdf NAND Flash Applications Design Guide]''.</ref> আগে যেটি নন-ভোলাটাইল প্রাথমিক মেমোরি ছিল। ২০০৭ সাল অনুযায়ী, ন্যান্ড এই দাবির কিছু অর্জন করে যেটিতে উচ্চ মাত্রার সহন শক্তি, আকারে ছোট, কম বিদ্যুত ব্যবহার ইত্যাদি বৈশিষ্ট্য ছিল।
===প্রোগ্রাম সংরক্ষনের জন্য ব্যবহার===
===তথ্য সংরক্ষনের জন্য ব্যবহার===
==প্রকারভেদ==
===সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি===
মাস্ক প্রোগ্রামড রম হল ইন্ট্রিগ্রেটেড সার্কিট যেটা নিজে কোন তথ্য এনকোড করে সংরক্ষন করে এবং এগুলো উৎপাদনের পরে পরিবর্তন করা অসম্ভব। অন্যান্য ধরনের নন-ভোলাটাইল সলিড-স্টেট মেমোরি কিছু কিছু ক্ষেত্রে পরিবর্তনের সুযোগ দেয়।
* প্রোগ্রামেবল রম (পিরম) অথবা একবারই প্রোগ্রাম করা যায় এমন রমে প্রোগ্রামিং করা হয় বিশেষ যন্ত্র দিয়ে যাকে পিরম প্রোগ্রামার বলে। চিপের মধ্যকার আন্তঃসংযুক্ত লিংক বা সংযোগে উচ্চ মাত্রার ভোল্টেজ সরবরাহ করে স্থায়ীভাবে কোন কিছু তৈরী বা মুছে ফেলা হয়। ফলে এটাতে একবারই প্রোগ্রাম করা যায়।
* ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রম (ইপিরম) শক্তিশালী আল্ট্রাভাইয়োলেট আলোতে উন্মুক্ত করে (সাধারণত ১০ মিনিট বা তারও বেশি) মুছা হয় এবং আবার প্রোগ্রাম লিখা হয়। পরেরবার মুছার সময় প্রথমবার যে শক্তি প্রয়োগ করে মুছা হয়েছিল তারচেয়ে বেশি শক্তি বা বেশি সময় ধরে রাখতে হয়। বারবার আল্ট্রাভাইয়োলেট আলোতে উন্মুক্ত করার ফলে রম ক্ষতিগ্রস্থ হয় বা ব্যবহার অনুপযোগী হয়ে পড়ে। কিন্তু দীর্ঘস্থায়ী রমগুলো ১০০০ বা তার উপরে মুছা যায় এবং প্রোগ্রাম করা যায়। ইপিরম চেনা যায় রমের মধ্যে একটি '''জানালা''' আকারের খালি জায়গা থাকে যেটা দিয়ে আল্ট্রাভাইয়োলেট আলো প্রবেশ করে। প্রোগ্রামিং করার পরে এটি লেভেল দিয়ে ঢাকা থাকে যাতে অনাক্খিত কোন কিছু না ঘটে এবং পুনব্যবহারের জন্য।
* ইলেক্ট্রিক্যালি ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রম (ইইপিরম) ইপিরমের মতই এর সেমিকন্ডাক্টরের গঠন কিন্তু এটিতে নিদির্ষ্ট বা পুরো অংশই বৈদ্যুতিক শক্তি প্রয়োগ করে মুছা যায় এবং প্রোগ্রাম করা যায়। এতে করে এগুলোকে খুলতে (কম্পিউটার, এমপিথ্রী প্লেয়ার, ক্যামেরা প্রভৃতি) হয় না। ইইপিরমে লিখা বা ফ্ল্যাশ করা খুবই ধীর গতির র্যামের চেয়ে।
** ইলেক্ট্রিক্যালি অলটারেবল রম (ইএরম) হল একধরনের ইইপিরম যা একবার এক বিট করে পরিবর্তন করা যায়। লিখা খুবই সময়সাপেক্ষ এবং হাই ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় (প্রায় ১২ ভোল্টের মত)। এই রম সেইসব যন্ত্রগুলোতে ব্যবহার করা হয় যেগুলো পুনপুন লিখার প্রয়োজন হয় না বা কম প্রয়োজন হয়।
** ফ্ল্যাশ মেমোরি হল আধুনিক ইইপিরম (১৯৮৪ সালে আবিষ্কৃত)। এটি ইইপিরমের তুলনায় দ্রুত মুছা যায় এবং লিখা যায় সেইসাথে দীর্ঘস্থায়ী ও (১০,০০,০০০র বেশি)। আবার আধুনিক ন্যান্ড ফ্ল্যাশের (২০০৭ সালে ঘোষিত) একটি আইসির ধারণক্ষমতা ৩২ জিবির মত যেটি চিপের কার্যক্ষম ব্যবহার নিশ্চিত করে। কিছু কিছু পন্যে ন্যান্ড ফ্ল্যাশ চৌম্বকের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয় যেমন ইউএসবি ফ্ল্যাশ ড্রাইভ। যখন পুরনো রমের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয় তখন একে ইইপরম বা ফ্ল্যাশ রম বা ফ্ল্যাশ বলা হয় কিন্তু যেসব ক্ষেত্রে পুনপুন পরিবর্তন করা হয় এবং দ্রুত হয় সেসব ক্ষেত্রে ফ্ল্যাশ মেমোরি বলা হয়।
রাইট প্রোটেকশন বা লিখন নিরপত্তার কারনে কিছু কিছু পুনপ্রোগ্রাম করা যায় এমন রম অস্থায়ীভাবে রমে পরিনত হয়।
===অন্যান্য প্রযুক্তির===
আরো অন্যান্য ধরনের নন-ভোলাটাইল মেমোরি আছে যেগুলো সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির নয়, যেমন-
* অপটিকাল সংরক্ষন মাধ্যম, যেমন সিডি-রম যেটা দিয়ে শুধু মাত্র পড়া যায়। সিডি-আর এটিতে একবার লিখা যায় বারবার পড়া যায় যেখানে সিডি-আরডব্লিউ দিয়ে একাধিকবার লিখা এবং পড়া যায়।
====ঐতিহাসিক উদাহরণ====
* ডাইয়োড ম্যাট্রিক্স
* রেজিস্টর, ক্যাপাসিটর অথবা ট্রান্সফরমার ম্যাট্রিক্স রম
* কোর রপ
* ক্যারেক্ট্রন ক্যাথোড রে টিউবস
==গতি==
===পড়ার গতি===
যদিও র্যাম এবং রমের গতি সময়ের সাথে পরিবর্তিত হয়েছে তবুও ২০০৭ সাল অনুযায়ী বড় র্যাম চিপগুলো রমের চেয়ে দ্রুত পড়া যায়। এইকারণে রমের কিছু অংশ র্যামে কপি করা হয় অথবা ছায়া হিসেবে ব্যবহার করা হয় যখন প্রথম করা হয় এবং র্যাম থেকেই পড়া হয়।
===লিখার গতি===
যেসব রমে লিখা যায় সেগুলোর লিখার গতি খুবই ধীর পড়ার তুলনায় এবং হয়ত উচ্চ মাত্রার ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় জাম্পার প্লাগে লিখার সিগনাল পাঠানোতে এবং বিশেষ লক/আনলক নির্দেশ দিতে। আধুনিক ন্যান্ড ফ্ল্যাশ লিখার ক্ষমতায় সবচেয়ে এগিয়ে আছে, এর গতি প্রায় ১৫ এমবি সেকেন্ডে।
==স্থায়ীত্ব এবং তথ্য ধারণ ক্ষমতা==
যেহেতু এগুলোতে লিখা হয় ইলেক্ট্রিক্যাল ইনসুলেশন স্তরের মাধ্যমে ইলেক্ট্রনগুলোকে বলপ্রয়োগ করে। সেইকারনে রিরাইটেবল বা পুনরায় লিখন উপযোগী রমগুলোর ইনসুলেশন স্তর ক্ষতিগ্রস্থ হওয়া পযর্ন্ত লিখা যায়। পুরনো ইএরমগুলোতে এটা হত ১০০০ বার লিখার পর যেখানে আধুনিক ইইপিরমের বেলায় তা ১,০০০,০০০ বার কিন্তু এটা অসীম নয়।
রমের পড়ার বিষয়টি লিখার সাথে সর্ম্পকিত নয়। ইপিরম, ইএরম, ইইপিরম এবং ফ্ল্যাশ মেমোরিতে তথ্য সংরক্ষন সীমাবদ্ধ হতে পারে যদি ফ্লোটিং গেট (মেমোরির) ক্ষতিগ্রস্থ হয়। অত্যাধিক উচ্চতাপ এবং রেডিয়েশনের কারণে এটি ক্ষতিগ্রস্থ হতে পারে। মাস্ক রম এবং পিরমগুলো এই সমস্যায় পড়ে না যেহেতু এগুলোর তথ্য সংরক্ষন হয় ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে।
== আরো দেখুন ==
| |||