'''অর্ধপরিবাহী সাধনী নির্মাণ''' বা ইংরেজি পরিভাষায় '''সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন''' (Semiconductor Device Fabrication) হলো উৎপাদনের প্রক্রিয়া। সাধারণত [[সমন্বিত বর্তনী|সমন্বিত বর্তনীতে]] (আইসি) ব্যবহৃত [[মসফেট|ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী]] (এমওএস) যন্ত্রসমূহ, যেমন কম্পিউটারের প্রসেসর, মাইক্রোকন্ট্রোলার এবং মেমরি চিপ যেমন [[ফ্ল্যাশ মেমোরি#ন্যান্ড ফ্ল্যাশ|ন্যান্ড ফ্ল্যাশ]] এবং ডির্যাম যা দৈনন্দিন [[তড়িৎ|বৈদ্যুতিক]] এবং [[ইলেকট্রন বিজ্ঞান|ইলেকট্রনিক]] যন্ত্রে ব্যবহৃত হয়, তা এই প্রক্রিয়ার মাধ্যমে উৎপাদন করা হয়। এটি আলোক লিথোগ্রাফিক এবং রাসায়নিক প্রক্রিয়াকরণসহ একাধিক ধাপের প্রক্রিয়া (যেমন পৃষ্ঠের প্যাসিভিশন, [[তাপীয় জারণ]], [[প্ল্যানার বিচ্ছুরন]] এবং [[পি–এন সংযোগ অন্তরণ|সংযোগ অন্তরণ]]), যার মাধ্যমে ধীরে ধীরে খাঁটি [[অর্ধপরিবাহী]] উপাদানে তৈরি একটি ওয়েফারে [[ইলেকট্রনিক বর্তনী]] তৈরি করা হয়। [[সিলিকন]] প্রায় সর্বদা ব্যবহৃত হয়, তবে বিশেষায়িত প্রয়োগের জন্য বিভিন্ন যৌগিক অর্ধপরিবাহী ব্যবহৃত হয়।
শুরু থেকে বন্টনের জন্য প্রস্তুত প্যাকেজকৃতমোড়কীকৃত চিপচিলতে পর্যন্ত পুরোসম্পূর্ণ উত্পাদনউৎপাদন প্রক্রিয়ার জন্য ছয় থেকে আট সপ্তাহ সময় প্রয়োজন এবং এ প্রক্রিয়াপ্রক্রিয়াটি অত্যন্ত বিশেষায়িত অর্ধপরিবাহী ফ্যাব্রেকশননির্মাণ প্লান্টেকারখানাতে সঞ্চালিতপরিচালনা করা হয়, যাকে অর্ধপরিবাহী কারখানা (ইংরেজিতে সেমিকন্ডাক্টর ফাউন্ড্রি বা ফ্যাবওসংক্ষেপে ফ্যাব) বলা হয়।<ref name="berlin-regression-methods">Neurotechnology Group, Berlin Institute of Technology, IEEE Xplore Digital Library. “[https://ieeexplore.ieee.org/document/6570490 Regression Methods for Virtual Metrology of Layer Thickness in Chemical Vapor Deposition].” ১৭ জানুয়ারি, ২০১৪। সংগ্রহের তারিখ ৯ নভেম্বর, ২০১৫।</ref> সকল ফ্যাব্রিকেশননির্মাণকাজ একটি পরিষ্কার[[নির্মল কক্ষ|নির্মল কক্ষের]] ভিতরে সংঘটিত হয়, যা ফ্যাবেরকারখানার কেন্দ্রীয় অংশ। আধুনিক [[১৪ ন্যানোমিটার|১৪]]/[[১০ ন্যানোমিটার|১০]]/[[৭ ন্যানোমিটার]] নোডেরগ্রন্থির মতো আরও উন্নত অর্ধপরিবাহী যন্ত্রেরসাধনী ফ্যাব্রিকেশনেরনির্মাণের জন্য গড়ে ১৫ সপ্তাহ পর্যন্ত সময় লাগতে পারে।<ref>{{Cite web|url=http://chinawaterrisk.org/resources/analysis-reviews/8-things-you-should-know-about-water-and-semiconductors/|title=8 Things You Should Know About Water & Semiconductors|website=ChinaWaterRisk.org|language=en-US|access-date=2017-09-10}}</ref> উন্নত ফ্যাব্রিকেশননির্মাণ স্থাপনায়কারখানায় উত্পাদনউৎপাদন প্রক্রিয়াটি সম্পূর্ণ স্বয়ংক্রিয়ভাবে নির্বাহ করা হয় এবং উৎপাদনের মানফলন উন্নতহার বা ইল্ড (একটি পাতলা সিলিকন চাকতি বা ওয়েফারের মধ্যে সঠিকভাবে কাজ করে এমন মাইক্রোচিপের শতাংশ) করতে অভেদ্যভাবে বদ্ধ নাইট্রোজেন পরিবেশে পরিচালিত হয়, এবং এক মেশিনযন্ত্র থেকে অন্য মেশিনেযন্ত্রে পাতলা ওয়েফারচাকতি পরিবহনের জন্য স্বয়ংক্রিয় উপাদান পরিচালনা ব্যবস্থা ব্যবহৃত হয়। ওয়েফারগুলি FOUP নামের বিশেষ সিলযুক্ত প্লাস্টিকের বাক্সগুলির ভিতরে পরিবহন করা হয়। সকল যন্ত্রাংশ এবং FOUP গুলির অভ্যন্তরে নাইট্রোজেন বায়ুমণ্ডল ধারণ করে। যন্ত্রপাতি এবং FOUP এর ভিতরে বাতাস সাধারণত ক্লিনরুমেরনির্মল কক্ষের আশেপাশের বাতাসের তুলনায় আরও বেশি পরিষ্কার রাখা হয়। এই অভ্যন্তরীণ পরিবেশটি একটি ক্ষুদ্র-পরিবেশঅণুপরিবেশ (মাইক্রোএনভায়রনমেন্ট) হিসাবে পরিচিত।<ref>{{Cite journal|url=https://www.semanticscholar.org/paper/Clean-room-Technologies-for-the-Mini-environment-Kure-Hanaoka/5c000e7c2022761af486e82bceb6ba541e2bd6de|title=Clean-room Technologies for the Mini-environment Age|last2=হানাওকা|first2=হিডেও|date=October 23, 2007|সাময়িকী=|first1=টি.|last1=কুরে|first3=টি.|last3=সুগিউরা|first4=এস.|last4=নাকাগাওয়া|website=www.semanticscholar.org|s2cid=30883737}}</ref> উত্পাদনেরউৎপাদনের যন্ত্রপাতি এবং FOUP এর অভ্যন্তরীণ বায়ুমণ্ডল বজায় রাখার জন্য সংকর ফ্যাব্রিকেশননির্মাণ স্থাপনাগুলিতে প্রচুর পরিমাণে তরল নাইট্রোজেনের প্রয়োজন হয়, যা ক্রমাগত নাইট্রোজেন দিয়ে পরিষ্কার করা হয়।<ref>{{Cite web|url=https://www.fabmatics.com/products/storage/purge-systems/foup-purge/|title=FOUP Purge System - Fabmatics: Semiconductor Manufacturing Automation|website=www.fabmatics.com}}</ref>
== আকার ==
একটি নির্দিষ্ট '''অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়ায়''' চিলতে বা চিপের প্রতিটি স্তরের বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য ন্যূনতম আকার এবং ব্যবধানের সুনির্দিষ্ট বিধি থাকে।<ref name="shirriff_die_shrink">কেন শিরিফ। [http://www.righto.com/2020/06/die-shrink-how-intel-scaled-down-8086.html "Die shrink: How Intel scaled-down the 8086 processor"]। ২০২০।</ref> প্রায়শই নতুন সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াগুলির মধ্যে আরও ছোট ন্যূনতম বৈশিষ্ট্য এবং ঘনিষ্ঠ ব্যবধান থাকে যা ট্রানজিস্টর ঘনত্ব (প্রতি বর্গ মিলিমিটারে ট্রানজিস্টারের সংখ্যা) বৃদ্ধির কারণে আংশিকভাবে ব্যয় হ্রাস করতে এবং কর্মক্ষমতা উন্নত করতে ডাই সংকোচনের সুবিধা প্রদান করে।<ref name="shirriff_die_shrink" /> প্রাথমিক অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াগুলির HMOS III, CHMOS V এর মতো বিধিবহির্ভূত নাম ছিল; পরবর্তীগুলিকে ন্যূনতম বৈশিষ্ট্যের আকার অনুযায়ী উল্লেখ করা হয়, যেমন [[৯০ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া]]।
