বেলন (ইংরেজি: Boule বুল) বলতে পদার্থের একটি কৃত্রিম উপায়ে প্রস্তুতকৃত এক-কেলাসবিশিষ্ট নিরেট চোঙাকৃতি খণ্ডকে বোঝায়।[১]

কেলাসীভবন
Process-of-Crystallization-200px.png
মৌলিক ধারণা
কেলাস · কেলাস কাঠামো · কেন্দ্রীনীভবন
ধারণা
কেলাসীভবন · কেলাসের আকার বৃদ্ধি
পুনর্কেলাসীভবন · বীজ কেলাস
আদিকেলাসী দশা · একক কেলাস
পদ্ধতি ও প্রযুক্তি
বেলন
ব্রিজম্যান-স্টকবার্গের পদ্ধতি
ফান-আর্কেল-ডে বুর প্রক্রিয়া
চোক্রালস্কি পদ্ধতি
সুশৃঙ্খল পরিবৃদ্ধি · বিগলন পদ্ধতি
আংশিক কেলাসীভবন
ভগ্নাংশমূলক হিমায়ন
উদ-তাপীয় সংশ্লেষণ
কিরোপুলোস পদ্ধতি
লেসার-উত্তাপিত পাদভূমির আকার বৃদ্ধি
নিম্নমুখী অণুটান
কেলাসের আকারি বৃদ্ধিকালীন আকৃতি প্রদানকারী প্রক্রিয়াসমূহ
খুলিবৎ গলনপাত্র
ভের্নই পদ্ধতি
অঞ্চল গলন

বর্তমানে সমন্বিত বর্তনীতে ব্যবহৃত সিলিকন-ভিত্তিক যন্ত্রাংশগুলির উৎপাদনের প্রাথমিক ধাপ হল একটি একটি সিলিকনের বেলন। অর্ধপরিবাহী শিল্পে বেশ কিছু উপায়ে কৃত্রিম সিলিকন বেলন প্রস্তুত করা হয়, যাদের মধ্যে ব্রিজম্যান কৌশল[২]চোক্রালস্কি প্রক্রিয়ার নাম উল্লেখ্য। এগুলির ফলে সিলিকনের একটি বেলনাকৃতি বা চোঙাকৃতি নিরেট খণ্ড বা মোটা দণ্ড সৃষ্টি হয়।

চোক্রালস্কি প্রক্রিয়াতে বৃহত্তর কেলাস তথা নিরেট খণ্ড প্রস্তুতির জন্য একটি বীজরূপী কেলাস আবশ্যক। এই বীজরূপী কেলাসটিকে বিশুদ্ধ গলিত সিলিকনের ভেতরে চুবানো হয় এবং অত্যন্ত ধীরগতিতে আস্তে আস্তে সেটিকে উঠিয়ে বের করে আনা হয়। গলিত সিলিকন ঐ বীজরূপী কেলাসের উপরে একটি নির্দিষ্ট কেলাসীয় বিন্যাসে সংযুক্ত হতে থাকে এবং এভাবে কেলাসটির আকার বৃদ্ধি পেতে থাকে। বীজরূপী কেলাসটিকে ধীরে ধীরে নির্গত করার সময় সিলিকন জমাট বাঁধতে শুরু করে এবং শেষ পর্যন্ত একটি বৃহৎ, বেলনাকার (চোঙাকার) বেলন বা বুল উৎপন্ন হয়।[৩]

একটি অর্ধপরিবাহী কেলাস বেলনকে সাধারণত বহুসংখ্যক বৃত্তাকার পাতলা চাকতিতে কাটা হয় এবং এ কাজে একটি অন্তঃছিদ্রবিশিষ্ট হীরার করাত বা হীরার তারের করাত ব্যবহার করা হয়। প্রতিটি পাতলা চাকতিকে চাকি-পালিশ (lap) করা হয়, যাতে পরবর্তীতে সেটির পৃষ্ঠতলকে অর্ধপরিবাহী কলকৌশলগুলির উৎপাদনের জন্য অধঃস্তর হিসেবে ব্যবহার করা সম্ভব হয়।[৪]

বেলন প্রস্তুত প্রক্রিয়াটিকে কৃত্রিম নীলকান্তমণি সৃষ্টি করতেও ব্যবহার করা হয়ে থাকে। এই নীলকান্তমণিগুলিগুলিকে নীল ও সাদা রঙের আলোক-নিঃসারী ডায়োড বা এলইডি-সমূহের উৎপাদনে অধঃস্তর হিসেবে, বিশেষ বিশেষ প্রযুক্তিতে আলোকীয় জানালা হিসেবে এবং হাতঘড়ি ও আলোকচিত্রগ্রাহক যন্ত্রের (ক্যামেরার) পরকলার (লেন্সের) সুরক্ষামূলক আবরণী হিসেবে ব্যবহার করা হয়।[৫]

তথ্যসূত্রসম্পাদনা

  1. Kimoto, Tsunenobu; Cooper, James A. (২৪ নভেম্বর ২০১৪)। Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterizationআইএসবিএন 9781118313527। সংগ্রহের তারিখ মার্চ ১, ২০১৭ 
  2. Dhanaraj, Govindhan; Byrappa, Kullaiah; Prasad, Vishwanath; Dudley, Michael (২০১০)। Springer Handbook of Crystal Growthআইএসবিএন 9783540747611। সংগ্রহের তারিখ ফেব্রুয়ারি ২৫, ২০১৭ 
  3. Rea, Samuel N. (১৯৭৮)। "Continuous Czochralski Process Development"। সংগ্রহের তারিখ মার্চ ১, ২০১৭ 
  4. BOSE (২০১৩)। IC Fabrication Technology। McGraw Hill Education (India) Pvt Ltd। পৃষ্ঠা 53। আইএসবিএন 978-1-259-02958-5 
  5. J.-P. Colinge (২৯ ফেব্রুয়ারি ২০০৪)। Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI: Materials to Vlsi। Springer Science & Business Media। পৃষ্ঠা 12। আইএসবিএন 978-1-4020-7773-9