র‍্যান্ডম অ্যাক্সেস মেমোরি: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য

বিভিন্ন নতুন ধরনের নন-ভোলাটাইল র‍্যাম, যেগুলো বিদ্যুত চলে গেলেও তথ্য জমা রাখবে, উন্নয়নের কাজ চলছে। যেসব প্রযুক্তির ব্যবহার করা হচ্ছে তার মধ্যে কারবন ন্যানো টিউব এবং চৌম্বকীয় টানেল প্রভৃতি রয়েছে। প্রথম ধারার [[এমর‍্যাম|এমর‍্যামগুলোর]] মধ্যে, একটি হল ১২৮ কেআইবি চৌম্বকীয় র‍্যাম চিপ যেটা উৎপাদিত হয়েছে ০.১৮ µএম প্রযুক্তিতে ২০০৩ সালের গ্রীষ্মে। ২০০৪ সালের জুনে, ইনফেনিয়ন টেকনোলজিস একটি ১৬ এমআইবির প্রোটোটাইপ বের করে ০.১৮ µএম প্রযুক্তির বিপরীতে। ২য় প্রজন্মের বা ধারার দুটো প্রযুক্তি এখন প্রক্রিয়াধীন রয়েছে: [[থামার্ল এসিস্টেড সুইচিং]] (ক্রোকাস টেকনোলজি) এবং [[স্পিন টোর্ক ট্রান্সফার]] ([[ক্রোকাস]], [[হাইনিক্স]], [[আইবিএম]] এবং আরো কিছু কোম্পানী)<ref>The Emergence of Practical MRAM http://www.crocus-technology.com/pdf/BH%20GSA%20Article.pdf {{ওয়েব আর্কাইভ|ইউআরএল=https://web.archive.org/web/20110427022729/http://www.crocus-technology.com/pdf/BH%20GSA%20Article.pdf |তারিখ=২৭ এপ্রিল ২০১১ }}</ref><ref>{{ওয়েব উদ্ধৃতি |শিরোনাম=সংরক্ষণাগারভুক্ত অনুলিপি |ইউআরএল=http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=218000269 |সংগ্রহের-তারিখ=১৫ জুন ২০১১ |আর্কাইভের-ইউআরএল=https://web.archive.org/web/20120119111746/http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=218000269 |আর্কাইভের-তারিখ=১৯ জানুয়ারি ২০১২ |অকার্যকর-ইউআরএল=হ্যাঁ }}</ref>। ন্যানটেরো কার্মক্ষম একটি কারবন ন্যানোটিউবের প্রোটোটাইপ বের করে ১০ জিআইবির ২০০৪ সালে। এগুলোর কোনটি ডির‍্যাম, এসর‍্যাম অথবা ফ্লাশ মেমোরির জায়গা দখল করে তা এখন দেখার বিষয়।