ট্রানজিস্টর: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য
বিষয়বস্তু বিয়োগ হয়েছে বিষয়বস্তু যোগ হয়েছে
অ →বিভিন্ন প্রকার ট্রানজিস্টর: বট নিবন্ধ পরিষ্কার করেছে। কোন সমস্যায় এর পরিচালককে জানান। |
1টি উৎস উদ্ধার করা হল ও 0টি অকার্যকর হিসেবে চিহ্নিত করা হল। #IABot (v2.0beta10ehf1) |
||
৭০ নং লাইন:
* [[ডিফিউশন ট্রানজিস্টর]], formed by diffusing dopants into semiconductor substrate; can be both BJT and FET.
* [[ইউনিজাংশন ট্রানজিস্টর]], can be used as simple pulse generators. It comprise a main body of either P-type or N-type semiconductor with ohmic contacts at each end (terminals ''Base1'' and ''Base2''). A junction with the opposite semiconductor type is formed at a point along the length of the body for the third terminal (''Emitter'').
* [[সিঙ্গেল-ইলেক্ট্রন ট্রানজিস্টর]]s (SET), consist of a gate island between two tunneling junctions. The tunneling current is controlled by a voltage applied to the gate through a capacitor.<ref>{{ওয়েব উদ্ধৃতি |ইউআরএল=http://snow.stanford.edu/~shimbo/set.html |শিরোনাম=Single Electron Transistors |প্রকাশক=Snow.stanford.edu |সংগ্রহের-তারিখ=June 30, 2012 |আর্কাইভের-ইউআরএল=https://web.archive.org/web/20120426015942/http://snow.stanford.edu/~shimbo/set.html |আর্কাইভের-তারিখ=২৬ এপ্রিল ২০১২ |অকার্যকর-ইউআরএল=হ্যাঁ }}</ref>
* [[ন্যানোফ্লুইডিক ট্রানজিস্টর]], controls the movement of ions through sub-microscopic, water-filled channels.<ref>{{ওয়েব উদ্ধৃতি|শেষাংশ=Sanders |প্রথমাংশ=Robert |ইউআরএল=http://www.berkeley.edu/news/media/releases/2005/06/28_transistor.shtml |শিরোনাম=Nanofluidic transistor, the basis of future chemical processors |প্রকাশক=Berkeley.edu |তারিখ=June 28, 2005 |সংগ্রহের-তারিখ=June 30, 2012}}</ref>
* [[Multigate device]]s:
| |||