রম: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য

বিষয়বস্তু বিয়োগ হয়েছে বিষয়বস্তু যোগ হয়েছে
WikitanvirBot (আলোচনা | অবদান)
বট বানান ঠিক করছে, কোনো সমস্যায় তানভিরের আলাপ পাতায় বার্তা রাখুন
FerdousBot (আলোচনা | অবদান)
বানান, replaced: কারন → কারণ (4)
১৫ নং লাইন:
:১. শুধুমাত্র বেশি পরিমানে কিনলেই দামে সস্তা হয়, এবং ব্যবহারকারীদেরকে সরাসরি উৎপাদকদের সাথে যোগাযোগ করতে হয় তাদের ইচ্ছানুযায়ী রমের জন্য
:২. উৎপাদন সময় বেশি লাগে যেহেতু দুই পর্যায়ে এটা করা হয় এবং উভয় পর্যায়ই ধীর।
:৩. এটি গবেষণা এবং উন্নয়নের জন্য অনুপযোগী কারনকারণ এতে দ্রুতই নকশা পরিবর্তন করা লাগে।
:৪. কোন পণ্য যদি ঠিকভাবে প্রস্তুত না হয় বা বিক্রির পর ভুল ধরা পড়ে, পন্যটি সরাসরি উৎপাদকদের কাছ থেকে পরির্বতন করার প্রয়োজন হয়।
 
পরবর্তী উন্নয়নগুলোতে এই সব সমস্যা ঠিক করার ব্যবস্থা নেয়া হয়। ১৯৫৬ সালে আবিষ্কৃত [[প্রোগ্রামেবল রীড-অনলি মেমোরি|পিআরওএম]], ব্যবহারকারীদের বিষয়বস্তু প্রোগ্রাম করার সুযোগ দিত একবার উচ্চ বৈদ্যুতিক ভোল্টেজ পালস ব্যবহার করে। এটি এক ও দুই নম্বর সমস্যার সমাধান দেয় যেহেতু একটি কোম্পানী পিরম অর্ডার করতে পারে সহজেই এবং পরে সেগুলোতে নিজেদের বিষয়বস্তু অনুযায়ী প্রোগ্রাম করতে পারে। ১৯৭১ সালে আবিষ্কৃত [[ইপিআরওএম]] ৩ নম্বর সমস্যাটির সমাধান দেয়। ইপিরমকে আবার আগের প্রোগ্রামহীন বা শূন্য অবস্থায় আনা যেত উচ্চ মাত্রার আল্ট্রাভাইয়োলেট লাইট ব্যবহার করে। ১৯৮৩ সালে আবিষ্কৃত হয় [[ইইপিআরওএম]], এটি ৪ নম্বর সমস্যার সমাধান করে কারনকারণ ইইপিরম যেকোন জায়গায় বাহ্যিক কোন প্রোগ্রামিং বিষয়বস্তু [[সিরিয়াল কেবল]] ব্যবহার করে প্রোগ্রাম করা যায়। ফ্ল্যাশ মেমোরি [[তোশিবা]] আবিষ্কার করে ১৯৮০ দশকের মাঝামাঝি এবং বাজারে ছাড়ে ১৯৯০ দশকের শুরুর দিকে। এটি একধরনের ইইপিরম যেটি চিপের জায়গার দক্ষ ব্যবহার নিশ্চিত করে এবং মুছে আবার প্রোগ্রাম করা যায় হাজারবার চিপের কোন ক্ষতি না করেই।
 
এইসব প্রযুক্তি যদিও রমের কার্যক্ষমতা বাড়িয়েছে তবুও সস্তা দরের চিপ হিসেবে মাস্ক রম তখনও বড়ধরনের পছন্দ ছিল ক্রেতাদের নিকট (পুনরায় প্রোগ্রাম করা যায় এমন যন্ত্রগুলোর দাম কমে আসে ২০০০ সালের দিকে এবং মাস্ক রমের বাজার দখল করে নেয়)। আরো বলতে গেলে, নতুন প্রযুক্তির রমগুলো শুধুমাত্র রিড-অনলি না হওয়াও একটি কারণ।
৪৩ নং লাইন:
** '''[[ফ্ল্যাশ মেমোরি]]''' হল আধুনিক ইইপিআরওএম (১৯৮৪ সালে আবিষ্কৃত)। এটি ইইপিআরওএম এর তুলনায় দ্রুত মুছা যায় এবং লিখা যায় সেই সাথে দীর্ঘস্থায়ীও (১০,০০,০০০ চক্রের বেশি)। আবার আধুনিক এনএএনডি ফ্ল্যাশের (২০০৭ সালে ঘোষিত) একটি আইসির ধারণক্ষমতা ৩২ জিবির মত যেটি চিপের কার্যক্ষম ব্যবহার নিশ্চিত করে। কিছু কিছু পন্যে ন্যান্ড ফ্ল্যাশ চৌম্বকের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয় যেমন [[ইউএসবি ফ্ল্যাশ ড্রাইভ]]। যখন পুরনো রমের পরিবর্তে ব্যবহৃত হয় তখন একে '''ফ্ল্যাশ ইইপিআরওএম''' বা '''ফ্ল্যাশ রম''' বলা হয় কিন্তু যেসব ক্ষেত্রে পুনপুন পরিবর্তন করা হয় এবং দ্রুত হয় সেসব ক্ষেত্রে ফ্ল্যাশ মেমোরি বলা হয়।
 
রাইট প্রোটেকশন বা [[লিখন নিরপত্তা|লিখন নিরপত্তার]] কারনেকারণে কিছু কিছু পুনপ্রোগ্রাম করা যায় এমন রম অস্থায়ীভাবে রমে পরিনত হয়।
 
=== অন্যান্য প্রযুক্তি ===
৬৫ নং লাইন:
 
== স্থায়ীত্ব এবং তথ্য ধারণ ক্ষমতা ==
যেহেতু এগুলোতে লিখা হয় [[ইলেক্ট্রিক্যাল ইনসুলেশন]] স্তরের মাধ্যমে [[ইলেক্ট্রন]]গুলোকে বল প্রয়োগ করে। সেইকারনেসেইকারণে রিরাইটেবল বা পুনরায় লিখন উপযোগী আরওএম গুলোর ইনসুলেশন স্তর ক্ষতিগ্রস্থ হওয়া পযর্ন্ত লিখা যায়। পুরনো ইএআরওএম গুলোতে এটা হত ১০০০ বার লিখার পর যেখানে আধুনিক ইইপিআরওএম এর বেলায় তা ১,০০০,০০০ বার কিন্তু এটা অসীম নয়।
 
রমের পড়ার বিষয়টি লিখার সাথে সর্ম্পকিত নয়। ইপিআরওএম, ইএআরওএম, ইইপিআরওএম এবং ফ্ল্যাশ মেমোরিতে তথ্য সংরক্ষন সীমাবদ্ধ হতে পারে যদি [[ফ্লোটিং গেট]] (মেমোরির) ক্ষতিগ্রস্থ হয়। অত্যধিক উচ্চতাপ এবং [[রেডিয়েশন|রেডিয়েশনের]] কারণে এটি ক্ষতিগ্রস্থ হতে পারে। মাস্ক রম এবং পিআরওএম গুলো এই সমস্যায় পড়ে না যেহেতু এগুলোর তথ্য সংরক্ষন হয় ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে।
'https://bn.wikipedia.org/wiki/রম' থেকে আনীত