ট্রানজিস্টর: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য
বিষয়বস্তু বিয়োগ হয়েছে বিষয়বস্তু যোগ হয়েছে
WikitanvirBot (আলোচনা | অবদান) অ বট বানান ঠিক করছে, কোনো সমস্যায় তানভিরের আলাপ পাতায় বার্তা রাখুন |
সম্পাদনা সারাংশ নেই |
||
৩৯ নং লাইন:
# অর্ধপরিবাহী পদার্থের প্রকৃতি
# কিভাবে ব্যবহার করা হবে তা<ref>'''ট্রানজিস্টর''': [[বাংলা একাডেমী বিজ্ঞান বিশ্বকোষ]]; চতুর্থ খণ্ড; লেখক- ফারসীম মান্নান মোহাম্মদী</ref>
==বিভিন্ন প্রকার ট্রানজিস্টর==
[[File:Transistor on portuguese pavement.jpg|thumb|right|270px|Transistor symbol created on [[Portuguese pavement]] in the [[University of Aveiro]].]]
* [[বাইপোলার জাংশন ট্রানজিস্টর]] (বিজেটি):
** [[হেটারোজাংশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর]], up to several hundred GHz, common in modern ultrafast and RF circuits;
** [[শটকি ট্রানজিস্টর]];
** [[অ্যাভালানশি ট্রানজিস্টর]]:
** [[ডার্লিংটন ট্রানজিস্টর]]s are two BJTs connected together to provide a high current gain equal to the product of the current gains of the two transistors;
** [[ইনসুলেটেড-গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর]]s (IGBTs) use a medium-power IGFET, similarly connected to a power BJT, to give a high input impedance. Power diodes are often connected between certain terminals depending on specific use. IGBTs are particularly suitable for heavy-duty industrial applications. The [[Asea Brown Boveri]] (ABB) ''5SNA2400E170100'' illustrates just how far power semiconductor technology has advanced.<ref>{{cite web|url=http://library.abb.com/GLOBAL/SCOT/scot256.nsf/VerityDisplay/E700072B04381DD9C12571FF002D2CFE/$File/5SNA%202400E170100_5SYA1555-03Oct%2006.pdf |title=IGBT Module 5SNA 2400E170100 |format=PDF |accessdate=June 30, 2012}}</ref> Intended for three-phase power supplies, this device houses three n–p–n IGBTs in a case measuring 38 by 140 by 190 mm and weighing 1.5 kg. Each IGBT is rated at 1,700 volts and can handle 2,400 amperes;
** [[ফটোট্রানজিস্টর]];
** [[মাল্টিপল-এমিটার ট্রানজিস্টর]], used in [[transistor–transistor logic]] and integrated current mirrors;
** [[মাল্টিপল-বেস ট্রানজিস্টর]], used to amplify very-low-level signals in noisy environments such as the pickup of a [[record player]] or [[RF front end|radio front ends]]. Effectively, it is a very large number of transistors in parallel where, at the output, the signal is added constructively, but random noise is added only [[stochastic]]ally.<ref>Zhong Yuan Chang, Willy M. C. Sansen, ''Low-Noise Wide-Band Amplifiers in Bipolar and CMOS Technologies'', page 31, Springer, 1991 ISBN 0792390962.</ref>
* [[ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (FET):
** [[কার্বন ন্যানোটিউব ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (CNFET), where the channel material is replaced by a carbon nanotube;
** [[জাংশন ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (JFET), where the gate is insulated by a reverse-biased p–n junction;
** [[মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (MESFET), similar to JFET with a Schottky junction instead of a p–n junction;
*** [[হাই-ইলেক্ট্রন-মোবিলিটি ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (HEMT);
** [[মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (MOSFET), where the gate is insulated by a shallow layer of insulator;
** [[ইনভার্টেড-টি ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (ITFET);
** [[ফিন ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (FinFET), source/drain region shapes fins on the silicon surface;
** [[ফাস্ট-রিভার্স এপিট্যাক্সিয়াল ডায়োড ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (FREDFET);
** [[থিন-ফিল্ম ট্রানজিস্টর]], in LCDs;
** [[অর্গানিক ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (OFET), in which the semiconductor is an organic compound;
** [[ব্যালিস্টিক ট্রানজিস্টর]];
** [[ফ্লোটিং-গেট ট্রানজিস্টর]], for non-volatile storage;
** FETs used to sense environment;
*** [[আয়ন-সেনসিটিভ ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (IFSET), to measure ion concentrations in solution,
*** [[ইলেক্ট্রোলাইট-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর]] (EOSFET), [[neurochip]],
*** [[ডিওক্সিরাইবোনিউক্লিক এসিড ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]] (DNAFET).
* [[টানেল ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]], where it switches by modulating quantum tunnelling through a barrier.
* [[ডিফিউশন ট্রানজিস্টর]], formed by diffusing dopants into semiconductor substrate; can be both BJT and FET.
* [[ইউনিজাংশন ট্রানজিস্টর]], can be used as simple pulse generators. It comprise a main body of either P-type or N-type semiconductor with ohmic contacts at each end (terminals ''Base1'' and ''Base2''). A junction with the opposite semiconductor type is formed at a point along the length of the body for the third terminal (''Emitter'').
* [[সিঙ্গেল-ইলেক্ট্রন ট্রানজিস্টর]]s (SET), consist of a gate island between two tunneling junctions. The tunneling current is controlled by a voltage applied to the gate through a capacitor.<ref>{{cite web|url=http://snow.stanford.edu/~shimbo/set.html |title=Single Electron Transistors |publisher=Snow.stanford.edu |accessdate=June 30, 2012}}</ref>
* [[ন্যানোফ্লুইডিক ট্রানজিস্টর]], controls the movement of ions through sub-microscopic, water-filled channels.<ref>{{cite web|last=Sanders |first=Robert |url=http://www.berkeley.edu/news/media/releases/2005/06/28_transistor.shtml |title=Nanofluidic transistor, the basis of future chemical processors |publisher=Berkeley.edu |date=June 28, 2005 |accessdate=June 30, 2012}}</ref>
* [[Multigate device]]s:
** [[টেট্রোড ট্রানজিস্টর]];
** [[পেন্টোড ট্রানজিস্টর]];
** [[ট্রাইগেট ট্রানজিস্টর]] (prototype by Intel);
** [[ডুয়াল-গেট ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর]]s have a single channel with two gates in [[cascode]]; a configuration optimized for ''high-frequency amplifiers'', ''mixers'', and [[oscillators]].
* [[জাংশনলেস ন্যানোওয়্যার ট্রানজিস্টর]] (JNT), uses a simple nanowire of silicon surrounded by an electrically isolated "wedding ring" that acts to gate the flow of electrons through the wire.
* [[ভ্যাকুয়াম-চ্যানেল ট্রানজিস্টর]], when in 2012, NASA and the National Nanofab Center in South Korea were reported to have built a prototype vacuum-channel transistor in only 150 nanometers in size, can be manufactured cheaply using standard silicon semiconductor processing, can operate at high speeds even in hostile environments, and could consume just as much power as a standard transistor.<ref>{{cite web|url=http://www.gizmag.com/nasa-vacuum-channel-transistor/22626/ |title=The return of the vacuum tube? |publisher=Gizmag.com |date=May 28, 2012 |accessdate=May 1, 2016}}</ref>
* [[অর্গানিক ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ট্রানজিস্টর]].
== তথ্যসূত্র ==
| |||