ডোপায়ন: সংশোধিত সংস্করণের মধ্যে পার্থক্য

''ডোপায়ন'' বা ''ডোপিং'' হলো অর্ধপরিবাহী উৎপাদনে ইচ্ছাকৃতভাবে একটি অত্যন্ত খাঁটি অর্ধ পরিবাহী এর'র মধ্যে ভেজাল মিশিয়ে এর বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যাবলী পরিবর্তন করাকেকরা। "ডোপিং''ভেজালের বলে।পরিমাণ ভেজালঅর্ধপরিবাহীর এর পরিমান অর্ধপরিবাহী ধরনেরধরণের উপর নির্ভর করে।

==ডোপায়ন পধ্যতিপদ্ধতি==

N-টাইপ সেমি -কন্ডাক্টর সংশ্লেষের বাষ্প-পর্যায় অবস্থারপর্যায়ের পরিবর্তন পধ্যতিপদ্ধতি ব্যবহার করা যেতেহতে পারে। বাষ্প-পর্যায়ের অবস্থার পরিবর্তন , নেতিবাচক ডোপ ধারণকারী একটি গ্যাস পাতলা পাতের উপর দিয়ে প্রবাহিত হতে দেয়া হয় ।হয়। এন-টাইপ গ্যাস ডোপিং -এর ক্ষেত্রে গ্যালিয়াম আরসেণাইড আরসেনাইড-এর উপউপর দিয়ে হাইড্রজেনহাইড্রোজেন সালফাইড প্রবাহিত করা হয় এবং গঠন ভাগ সালফার অন্তর্ভুক্ত হয়।<ref name=Schubert>{{cite book|title= Doping in III-V Semiconductors |author= Schubert, E. F.|year=2005 |pages=241–243|isbn=0-521-01784-X}}</ref> এই প্রক্রিয়াটি সালফার ক্রমাগত পৃষ্ঠের উপর নিবিষ্টতা দ্বারা চিহ্নিত করা যায় । যায়।<ref name=Middleman>{{cite book|title= Process Engineering Analysis in Semiconductor Device Fabrication|author= Middleman, S.|year=1993 |pages=29, 330–337|isbn=0-07-041853-5}}</ref> সাধারনভাবেসাধারণভাবে, ডোপ করার জন্য পছন্দসই বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য সম্প্যন্নবৈশিষ্ট্যসম্পন্ন একটি খুব পাতলা স্তর প্রয়োজন হয়।<ref name=Deen>{{cite book|title= Analysis of Transport Phenomena |author= Deen, William M.|year=1998 |pages=91–94|isbn=978-0-19-508494-8}}</ref> প্রতিক্রিয়াটির শর্ত হিসেবে সাধারণত গ্রুপ ষষ্ঠ উপাদানের জন্য 600৬০০ থেকে 800 ৮০০° Cসেন্টিগ্রেড এবং সময় সাধারণত 6-12 তাপমাত্রার উপর নির্ভর করে ঘন্টা।৬-১২ ঘন্টার মতো।