থার্মিস্টর

রোধের প্রকার যার প্রতিরোধ তাপমাত্রার সাথে পরিবর্তিত হয়

থার্মিস্টর (Thermistor) এমন একধরনের রেজিস্টর, যেটির রেজিস্ট্যান্স নির্ভর করে তাপমাত্রার উপর। মূলত এটিকে তাপমাত্রা সেন্সর হিসেবে ব্যবহার করা হয়। এটি তাপমাত্রা সংবেদনশীল পদার্থ দ্বারা তৈরি করা হয়। থার্মিস্টর সাধারণত -৫৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস থেকে +২০০ ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রায় কাজ করে।

পুড়ে যাওয়া থার্মিস্টর

প্রকারভেদ সম্পাদনা

এটি দুই প্রকারের হয়ে থাকে।

  • ১। ধনাত্মক তাপমাত্রা গুনাঙ্ক [Positive Temperature Coefficient (PTC)]
  • ২। ঋণাত্মক তাপমাত্রা গুনাঙ্ক [Negative Temperature Coefficient (NTC)]

ধনাত্মক তাপমাত্রা গুনাঙ্ক সম্পাদনা

তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে যে থার্মিস্টরের রেজিস্ট্যান্স বৃদ্ধি পায়, তাকে ধনাত্মক তাপমাত্রা গুনাঙ্ক থার্মিস্টর বলে।

ঋণাত্মক তাপমাত্রা গুনাঙ্ক সম্পাদনা

তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে যে থার্মিস্টরের রেজিস্ট্যান্স কমে যায়, তাকে ঋণাত্মক তাপমাত্রা গুনাঙ্ক থার্মিস্টর বলে।

ইতিহাস সম্পাদনা

প্রথম এনটিসি থার্মিস্টর আবিষ্কৃত হয়েছিল মাইকেল ফ্যারাডে কর্তৃক ১৮৩৩ সালে, যিনি সিলভার সালফাইডের অর্ধপরিবাহী আচরণ সম্পর্কে কাজ করেছেন। ফ্যারাডে অবহিত করেন যে, তাপমাত্রা বৃদ্ধির ফলে সিলভার সালফাইডের রোধকতা নাটকীয়ভাবে কমছে।(এটি অর্ধপরিবাহী উপাদানের প্রথম নথিভুক্ত পর্যবেক্ষণ ছিল।)[১] প্রথম দিকে থার্মিস্টর উৎপাদন করা কঠিন ছিল এবং ব্যবহারক্ষেত্রের জন্য প্রযুক্তি সীমিত ছিল। ফলে ১৯৩০-এর দশক পর্যন্ত থার্মিস্টরের বাণিজ্যিক উৎপাদন শুরু হয় নি।[২] বাণিজ্যিকভাবে দৃশ্যমান থার্মিস্টর আবিষ্কৃত হয়েছিল স্যামুয়েল রুবেন কর্তৃক ১৯৩০ সালে।[৩]

উৎপত্তি সম্পাদনা

থার্মিস্টর শব্দটি থার্মো এবং রেজিস্টর এর সমন্বয়ে গঠিত।

তথ্যসূত্র সম্পাদনা

  1. "1833 - First Semiconductor Effect is Recorded"Computer History Museum। সংগ্রহের তারিখ ২৪ জুন ২০১৪ 
  2. McGee, Thomas (১৯৮৮)। "অধ্যায় ৯"। Principles and Methods of Temperature Measurement। John Wiley & Sons। পৃষ্ঠা ২০৩। 
  3. Jones, Deric P. (২০০৯)। Biomedical Sensors। Momentum Press। পৃষ্ঠা ১২।